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アイテム
高Al組成AlGANのエピタキシャル成長と欠陥制御技術
http://hdl.handle.net/10076/13650
http://hdl.handle.net/10076/136504cac5d59-8ce5-486e-b022-a694b6a10d4e
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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![]() |
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Item type | 報告書 / Research Paper(1) | |||||
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公開日 | 2014-03-10 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 高Al組成AlGANのエピタキシャル成長と欠陥制御技術 | |||||
言語 | ja | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 窒化物半導体 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | エピタキシャル成長 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 貫通転位密度 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | クラック | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 反り | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 無極性 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 紫外線光源 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 電子線励起 | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | |||||
資源タイプ | research report | |||||
著者 |
平松, 和政
× 平松, 和政× 三宅, 秀人× 元垣内, 敦司× 宮川, 鈴衣奈× 馬, ベイ× 劉, 玉懐× 黎, 大兵× 呉, 潔君× 胡, 衛国 |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | 本研究では、サファイア上のAlNエピタキシャル結晶上へのAlN及び高Al組成AlGaNの低欠陥密度結晶を作製する技術を確立し、高品質高Al組成AlGaN、無極性AlGaN、クラックフリーAlN基板を得ることができた。また、サファイア上のAlNエピタキシャル結晶上への高Al組成AlGaNを用いた電子線励起によるUV-Cの深紫外光源を作製し、強い紫外線発光を得るためのデバイス構造に関する知見を得ることができた。 | |||||
抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | In this research, the studies on obtaining high quality AlN and AlGaN with high AlN molar fraction are carried out. High quality AlGaN with high AlN, nonpolar AlGaN and crack-free AlN substrate can be obtained. Furthermore by using these materials, the UV-C light source excited by electron beam is fabricated. The structures which we can obtain strong UV emission are found. | |||||
内容記述 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 平成18~22年度科学研究費補助金(特定領域研究)研究成果報告書 | |||||
書誌情報 |
発行日 2011-04-22 |
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フォーマット | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | application/pdf | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
その他のタイトル | ||||||
値 | Epitaxial growth and defect controlling technique of AlGaN with high AlN molar fraction | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | 三重大学 | |||||
科研費番号 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 18069006 | |||||
資源タイプ(三重大) | ||||||
値 | Kaken / 科研費報告書 |