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17_thesis_ohta	pdf	4.89 MB	1,113	博士論文全文
17_point_ohta	pdf	391 KB	229	論文および審査の要旨

論文情報

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アイテムタイプ	学位論文
タイトル	化合物半導体デバイスプロセスの研究
その他のタイトル	Study of compound semiconductor device process
著者	著者名 太田, 博
	著者名 Ohta, Hiroshi
言語	jpn
DOI	https://doi.org/10.15002/00014769
開始ページ	1
終了ページ	197
発行年	2018-03-24
著者版フラグ	Not Applicable (or Unknown)
学位授与番号	32675乙第230号
学位授与年月日	2018-03-24
学位名	博士(工学)
学位授与機関	機関名 法政大学 (Hosei University)
キーワード	化合物半導体
	GaAs
	HEMT
	GaN
	p-n Diode
内容記述	主査 教授 栗山一男, 副査 教授 山本康博, 副査 教授 安田彰, 副査 教授 三島友義
資源タイプ	Thesis
インデックス	資料タイプ別 ＞ 学位論文 ＞ 博士論文 ＞ 理工学研究科
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