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i20. 学位論文 >
D-MS. 博士（マテリアルサイエンス）・博士（材料科学） >
D-MS. 2017年度(H29) >

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タイトル: GaAs(111)B上に分子線エピタキシャル成長したMnAs/Ⅲ-As複合構造の横型スピントロニクス素子応用
著者: Islam, Md. Earul
著者（別表記）: いすらむ, えむでぃー やーるる　
キーワード: Molecular beam epitaxy (MBE)
MnAs
InAs
GaAs(111)B
Magnetic properties
Electrical properties
Lateral spin valve
発行日: Mar-2018
記述: Supervisor: 赤堀 誠志
マテリアルサイエンス研究科
博士
タイトル（英語）: Lateral spintronic device application of molecular beam epitaxial grown MnAs/Ⅲ-As hybrid structures on GaAs(111)B
著者（英語）: Islam, Md. Earul
言語: eng
URI: http://hdl.handle.net/10119/15327
学位授与番号: 甲第1058号
学位授与年月日: 2018-03-23
学位名: 博士（マテリアルサイエンス）
学位授与機関: 北陸先端科学技術大学院大学
出現コレクション:D-MS. 2017年度(H29) (Jun.2017 - Mar.2018)

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