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http://hdl.handle.net/10119/8166
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| タイトル: | Poly-Si films with long carrier lifetime prepared by rapid thermal annealing of Cat-CVD amorphous silicon thin films |
| 著者: | Ohdaira, Keisuke
Abe, Yuki
Fukuda, Makoto
Nishizaki, Shogo
Usami, Noritaka
Nakajima, Kazuo
Karasawa, Takeshi
Torikai, Tetsuya
Matsumura, Hideki |
| キーワード: | Annealing
Crystallization
Raman scattering
secondary ion mass spectroscopy (SIMS)
Silicon
Solar cells
Microcrystalline
Minority carrier lifetime
Flash lamp annealing |
| 発行日: | 2008-01-15 |
| 出版者: | Elsevier |
| 誌名: | Thin Solid Films |
| 巻: | 516 |
| 号: | 5 |
| 開始ページ: | 600 |
| 終了ページ: | 603 |
| DOI: | 10.1016/j.tsf.2007.06.216 |
| 抄録: | Polycrystalline silicon (poly-Si) films thicker than 1.5 μm, consisting of dense small grains called nano-grain poly-Si (ngp-Si), are formed by flash lamp annealing (FLA) of amorphous silicon (a-Si) films prepared by catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) method. Crystallinity of the ngp-Si films can be controlled by changing lamp irradiance. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) profiles of dopants in the ngp-Si films after FLA shows no serious diffusion. A minority carrier lifetime of over 5 μs is observed from these ngp-Si films after defect termination process using high pressure water vapor annealing (HPWVA), showing possibility of application for high-efficient thin film solar cells. |
| Rights: | NOTICE: This is the author's version of a work accepted for publication by Elsevier. Keisuke Ohdaira, Yuki Abe, Makoto Fukuda, Shogo Nishizaki, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima, Takeshi Karasawa, Tetsuya Torikai and Hideki Matsumura, Thin Solid Films, 516(5), 2008, 600-603, http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.06.216 |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/8166 |
| 資料タイプ: | author |
| 出現コレクション: | c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
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| Thin_Solid_Films_516_600_2008.pdf | | 160Kb | Adobe PDF | 見る/開く |
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