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http://hdl.handle.net/10261/113020COMPARTIR / EXPORTAR:
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| Título: | conexiones mos ndr |
Autor: | Avedillo, María J. CSIC ORCID; Núñez, Juan CSIC ORCID ; Quintana, J. M. CSIC ORCID | Palabras clave: | NDR | Fecha de publicación: | 2009 | Editor: | CSIC - Instituto de Microelectrónica de Sevilla (IMS-CNM) | Citación: | conexiones mos ndr [Integrated Circuit], 2009 | Resumen: | La finalidad de este proyecto es contribuir al desarrollo de circuitos integrados utilizando dispositivos con una o varias regiones de resistencia diferencial negativa (NDR) en su característica I-V y, más especificamente, con diodos basados en el efecto túnel resonante (RTDs). En tecnologías III/V, estos dispositivos en combinación con transistores han demostrado reducción de área y consumo de potencia e incremento de velocidad frente a realizaciones convencionales, que se asocian a su característica con una región NDR. | Descripción: | Conexiones MOS NDR | Versión del editor: | http://www.imse-cnm.csic.es/es/catalogo_chips.php | URI: | http://hdl.handle.net/10261/113020 |
| Aparece en las colecciones: | (IMSE-CNM) Catálogo de Circuitos Integrados |
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