Optimalizace zařízení pro přípravu GaN nanostruktur
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract
Tato bakalářská práce se zabývá automatizací zdrojů pro depozici GaN nanokrystalů užívaných na Ústavu fyzikálního inženýrství. V rámci práce byl navržen a zkonstruován mechanizmus umožňující automatické ovládání clony galliové efuzní cely a řídící elektronika obsahující komponenty umožňující automatické spínání iontově atomárního zdroje dusíkových iontů. Dále byly metodou molekulární svazkové epitaxe s asistencí iontového svazku IBA-MBE připraveny vzorky GaN nanokrystalů na čtyřech různých substrátech, které byly studovány z hlediska studené emise elektronů. V závěru práce jsou diskutovány výsledky měření.
This bachelor thesis deals with the automation of sources for the deposition of GaN nanocrystals used at the Institute of Physical Engineering. For the purpose of the thesis, the mechanism of automatic control of the gallium effusion cell shutter was designed and constructed and the control electronics containing components enabling automatic switching of the ion atomic source of nitrogen ions. In addition, samples of GaN nanocrystals on four different substrates that were studied for cold electron emission were prepared by the method of ion beam assisted molecular beam epitaxy IBA-MBE. The results of the measurement are discussed in the conclusion.
This bachelor thesis deals with the automation of sources for the deposition of GaN nanocrystals used at the Institute of Physical Engineering. For the purpose of the thesis, the mechanism of automatic control of the gallium effusion cell shutter was designed and constructed and the control electronics containing components enabling automatic switching of the ion atomic source of nitrogen ions. In addition, samples of GaN nanocrystals on four different substrates that were studied for cold electron emission were prepared by the method of ion beam assisted molecular beam epitaxy IBA-MBE. The results of the measurement are discussed in the conclusion.
Description
Citation
ŠIMEK, D. Optimalizace zařízení pro přípravu GaN nanostruktur [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2019.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Fyzikální inženýrství a nanotechnologie
Comittee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda)
prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda)
doc. Ing. Stanislav Průša, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen)
prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen)
RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)
Date of acceptance
2019-06-20
Defence
Po otázkách oponenta student předvedl funkční zařízení.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení