Počet záznamů: 1
Gettering effects of rare-earth elements in the growth of InP layers
- 1.0087828 - ÚFE 2008 PL eng A - Abstrakt
Grym, Jan - Procházková, Olga - Šrobár, Fedor
Gettering effects of rare-earth elements in the growth of InP layers.
[Getrační efekty prvků vzácných zemin při růstu vrstev InP.]
XXXVI International School on the Physics of Semiconducting Compounds Jaszowiec 2007. Warsaw: Polish Academy of Sciences, Institute of Physics, 2007. s. 38--.
[International School on the Physics of Semiconducting Compounds Jaszowiec 2007 /36./. 09.06.2007-15.06.2007, Jaszowiec]
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * rare earth compounds * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JJ - Ostatní materiály
http://info.ifpan.edu.pl/Jaszowiec/J2007/Jaszowiec2007_booklet_web.pdf
We demonstrate the gettering phenomenon of rare-earth elements (REs) on InP epitaxial layers prepared from miscellaneous RE-treated melts. In spite of the chemical similarity, the purifying efficiency varies considerably for individual RE species. We present some results of numerical simulation of RE-based gettering processes in InP according to a model based on particle conservation laws and mass action equation.
Ukazujeme getrační efekty prvků vzácných zemin (RE) na epitaxní vrstvy InP připravené z tavenin s příměsí různých RE. Čistící účinek jednotlivých RE se i přes jejich chemickou podobnost výrazně liší. Předkládáme výsledky numerických simulací getračních procesů podle modelu založeného na zákonech zachování částic a na rovnici působení aktivní hmoty.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0004203
Počet záznamů: 1