Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electroluminescence and photoabsorption at elevated temperatures

0100043 - FZU-D 20040019 RIV CZ eng K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Mačkal, Adam - Hazdra, P. - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel
Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electroluminescence and photoabsorption at elevated temperatures.
[Lasery s napjatými tenkými InAs vrstvami v GaAs - elektroluminiscence a fotoabsorpce při zvýšených teplotách.]
Workshop 2003. Praha: ČVUT, 2003, s. 446-447.
[Workshop 2003. Praha (CZ), 10.02.2003-12.02.2003]
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010318
Výzkumný záměr: CEZ:MSM 212300014
Klíčová slova: quantum well * InAs * GaAs * electroluminescence * photoabsorption * elevated temperature
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Electro-optical characterisation of semiconductor lasers with very thin strained InAs layers in GaAs. The lasers exhibit high optical recombination efficiency, low threshold current and capability to operate at elevated temperatures

Elektrooptická charakterizace polovodičových laserů s velmi tenkými napjatými InAs vrstvami v GaAs. Lasery vykazují vysokou účinnost zářivé rekombinace, nízké prahové proudy a jsou schopné pracovat při zvýšených teplotách
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0007551