Investigation of diamond growth at high pressure by microwave plasma chemical vapor deposition

0100473 - FZU-D 20040329 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Mortet, V. - Kromka, Alexander - Kravets, Roman - Rosa, Jan - Vorlíček, Vladimír - Zemek, Josef - Vaněček, Milan
Investigation of diamond growth at high pressure by microwave plasma chemical vapor deposition.
[Studium růstu diamantu metodou MW CVD z plynné fáze při vysokém tlaku.]
Diamond and Related Materials. Roč. 13, - (2004), s. 604-609. ISSN 0925-9635. E-ISSN 1879-0062
Grant CEP: GA ČR GA202/02/0218; GA MŠMT LN00A015
GRANT EU: European Commission(XE) HPRN-CT-1999-00139
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: CVD diamond * hydrogen desorption * Columnar growth * photocurrent spectroscopy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.670, rok: 2004

Polycrystalline diamond thin films were grown on 2-inch silicon wafers at high pressures, up to 250 mbar, in high power microwave plasma CVD rotational ellipsoidal reactor.Influence of the gas pressure and the gas mixture on the diamond growth was investigated. High rates, up to 4.5 µm/h were obtained at high pressure and low methane concentration

Polykryskalické diamantové tenké vrstvy byli vypěstovány na křemíkových podložkách o průměru 2 palce při tlaku do 250 mbar v rotačním eliptickém reaktoru metodou MW CVD. Byl studován vliv tlaku plynu a složení plynu na růst diamantu. Bylo dosaženo vysoké rychlosti růstu 4.5 microm/h při vysokém tlaku a nízké koncentraci metanu
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0007975