Contrast Generation in Low Energy SEM Imaging of Doped Semiconductor

0109047 - UPT-D 20040048 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Mika, Filip - Frank, Luděk
Contrast Generation in Low Energy SEM Imaging of Doped Semiconductor.
[Tvorba kontrastu při zobrazení dopovaného polovodiče v nízkoenergiovém REM.]
Proceedings of the 9th International Seminar Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation. Brno: Institute of Scientific Instruments AS CR, 2004 - (Müllerová, I.), s. 51-52. ISBN 80-239-3246-2.
[Recent Trends /9./ in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation. Skalský Dvůr (CZ), 12.07.2004-16.07.2004]
Grant CEP: GA AV ČR KJB2065301
Klíčová slova: low energy SEM * doped semiconductor
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

Functional details of semiconductor structures keep decreasing in size. Among the structure elements the locally doped patterns play crucial role so that tools are needed for their observation. For fast diagnosis and quality check of the semiconductor structures the scanning electron microscope is useful because of its wide range of magnification, availability of different signal modes, speed of data acquisition and nondestructive nature of the technique in general, especially at low voltage operations. The dopant concentration in semiconductor is quantitatively determined via acquisition of signal of the secondary electron (SE) emission in such a way that the image contrast is measured between areas of different type or rate of doping

Velikost funkčních detailů v polovodičové struktuře se trvale zmenšuje. Mezi strukturními prvky hrají klíčovou roli lokálně dopované obrazce a existuje tedy potřeba nástrojů umožňujících jejich pozorování. Pro rychlou diagnostiku a kontrolu kvality polovodičů je používán rastrovací elektronový mikroskop se svým širokým rozsahem zvětšení, možností detekovat různé typy signálů, rychlostí sběru dat a minimálním poškozováním preparátu při pozorování, zvláště při nízkých energiích elektronů. Koncentrace dopantu v polovodiči je kvantitativně určována na základě měření úrovně obrazového kontrastu v signálu sekundárních elektronů (SE) mezi různě dopovanými oblastmi polovodiče
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0016159