Počet záznamů: 1
Interpretation of deep levels in Si-GaAs crystals observed by photo-induced current transient spectroscopy
- 1.0129915 - FZU-D 930464 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Hlinomaz, Petr - Šmíd, Václav - Krištofik, Jozef
Interpretation of deep levels in Si-GaAs crystals observed by photo-induced current transient spectroscopy.
Solid State Communications. Roč. 86, č. 6 (1993), s. 363-367. ISSN 0038-1098. E-ISSN 1879-2766
Impakt faktor: 1.539, rok: 1993
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0028087
Počet záznamů: 1