Počet záznamů: 1
Deep levels in GaAs due to Si .delta. doping
- 1.0133068 - FZU-D 20000429 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hubík, Pavel - Krištofik, Jozef - Mareš, Jiří J. - Malý, Jan - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
Deep levels in GaAs due to Si .delta. doping.
Journal of Applied Physics. Roč. 88, č. 11 (2000), s. 6488-6494. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Grant CEP: GA ČR GA202/99/0410; GA AV ČR IAA1010806; GA AV ČR IAA1010807
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.180, rok: 2000
Delta(Si)-doped GaAs samples grown by metalorganic vapor phase epitaxy are studied by capacitance-voltage and deep level transient spectroscopy techniques. A ditailed analysis of the DLTS signal is performed.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031058
Počet záznamů: 1