Temperature Rise of Power Semiconductor Devices

0021009 - UE-C 2006 RIV PL eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Doležel, Ivo - Dvořák, P. - Kalčík, K. - Ulrych, B. - Valouch, Viktor
Temperature Rise of Power Semiconductor Devices.
[Oteplení výkonových polovodičových součástek.]
IC - SPETO 2005. Gliwice - Ustroň: Politechnika Slaska, 2005, s. 143-146. ISBN 83-85940-27-8.
[International Conference on Fundamentals of Electrotechnics and Circuit Theory - IC SPETO 2005 /28./. Gliwice - Ustroň (PL), 11.05.2005-14.05.2005]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA102/03/1363
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20570509
Klíčová slova: IGCT thyristors * nonstationary temperature field
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

Modern power semiconductors (such as IGCT thyristors) represent elements for switching high currents of the orderof kA at the voltage level of several kV. The limiting quantity of ther operation is, therefore, the temperature rise. The paper represents an introductory study in the domain. Calculated is temperature rise of an axisymmetric device curing its operation in various regimes. Distribution of the internal sources of heat (specific Joule Losses) was found from experiments.

Moderní polovodičové součástky (jako např. tyristory IGCT) představují prvky pro spínání velkých proudů řádu kA a napětí několika kV. Limitní veličinou jejich činnosti je jejich oteplení. Příspěvek představuje úvodní studii v oblasti. Určuje se oteplení osově symetrické součástky během jejího provozu v různých režimech. Rozložení vnitřních zdrojů tepla bylo zjištěno experimentálně.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0110042