Počet záznamů: 1
Growth mechanism of InGaAsP/InP laser heterostructures prepared by LPE
- 1.0302118 - URE-Y 910005 HU eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Novotný, Jan - Procházková, Olga
Growth mechanism of InGaAsP/InP laser heterostructures prepared by LPE.
Budapest, 1990. In: 1st International Conference on Epitaxial Crystal Growth. Abstracts., s. 237-239
[International Conference on Epitaxial Crystal Growth /1./. Budapest (HU), 01.04.1990-07.04.1990]
Klíčová slova: semiconductor materials * liquid phase epitaxial growth * semiconductor lasers
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112615
Počet záznamů: 1