Počet záznamů: 1
InGaAsP/InP lasers with buried active layer: advances in technology and evaluation of components of the threshold current
- 1.0302418 - URE-Y 930027 SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Procházková, Olga - Šrobár, Fedor - Novotný, Jan
InGaAsP/InP lasers with buried active layer: advances in technology and evaluation of components of the threshold current.
[Bratislava]: [Institute of Electrical Engineering Slovak Academy of Sciences], 1993. In: Heterostructure epitaxy and devices., s. -
[Workshop. Smolenice (SK), 17.10.1993-21.10.1993]
Výzkumný záměr: Ústavní úkol č. 0120
Klíčová slova: semiconductor lasers * lasers
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112837
Počet záznamů: 1