Počet záznamů: 1  

On the hot-carrier effects in 1.3 ćm InGaAsP diodes

  1. 1.
    0302424 - URE-Y 930033 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Honc, T. - Zavadil, Jiří
    On the hot-carrier effects in 1.3 ćm InGaAsP diodes.
    Journal of Applied Physics. Roč. 73, č. 11 (1993), s. 7978-7980. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
    Grant CEP: GA ČR GA102/93/0783; GA ČR 102/93/0642
    Výzkumný záměr: Ústavní úkol č. 0130
    Klíčová slova: light emitting diodes * semiconductor lasers * hot carriers
    Impakt faktor: 1.784, rok: 1993
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112843

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.