Edge spin accumulation in semiconductor two-dimensional hole gases

0030256 - FZÚ 2006 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Nomura, K. - Wunderlich, J. - Sinova, J. - Kaestner, B. - MacDonald, A. H. - Jungwirth, Tomáš
Edge spin accumulation in semiconductor two-dimensional hole gases.
[Akumulace spínu na hranách dvojrozměrného děrového plynu.]
Physical Review. B. Roč. 72, č. 24 (2005), 245330/1-245330/5. ISSN 1098-0121
Grant CEP: GA MŠMT(CS) LC510
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: spin Hall effect * spintronics
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.185, rok: 2005

We show that spin polarisation near the edge of a two-dimensional hole system by the intrinsic spin Hall effect becomes larher and more localized as the spin-orbit coupling increases

Je ukázáno, že polarizace na hraně dvojrozměrného systému díky vlastnímu spinovému Hallovu jevu roste se silou spin-orbitální interakce
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0120015