Research of Technology Used for Fabrication of Active and Passive Waveguides on Semiconductor Base

0030582 - ÚJF 2006 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Prajzler, V. - Špirková, J. - Oswald, J. - Peřina, Vratislav - Hüttel, I. - Hamáček, J. - Machovič, V. - Burian, Z.
Research of Technology Used for Fabrication of Active and Passive Waveguides on Semiconductor Base.
[Výzkum postupu pro přípravu aktivních a pasivních vlnovodů v polovodičích.]
CTU reports Proceedings of Workshop 2005. Vol. 9. Prague: -, 2005, s. 448-449. ISBN 80-01-03201-9.
[Workshop 2005. Prague (CZ), 01.03.2005-02.03.2005]
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA104/03/0385
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10480505
Klíčová slova: doped galium nitride * magnetron sputering * surface analyses
Kód oboru RIV: BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače

The magnetron sputtering was used to fabricate RE doped GaN layers fabricated by magnetron sputtering on various substrate using a gaseous mixture of nitrogen and argon as precursors. The doping of the GaN films with RE occurred simultaneously with the sputtering process when placing the metal RE pellets or RE powder onto the Ga2O3 target. The amount of the incorporated erbium increased with increasing weight of the RE pellets or RE powder. We observed photoluminescence emission at 1 550 nm due to the 4I13/2 → 4I15/2 transition under excitation at 488 nm and 980 nm.

Magnetronové naprašování bylo použito k přípravě galium nitridových vrstev dopovaných vzácnými zeminami na různé podložky s použitím plynné směsi dusíku s argonem. Dopování bylo aplikováno současně s přípravou umístěním kovových nebo práškových tablet vzácných zemin. Dopované množství rostlo s rostoucím objemem tablet. Byla pozorována fotoluminiscenční emise při 155 nm přechodu 4I13/2 → 4I15/2 při excitaci vlnovými délkami 488 a 980 nm.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0120312