Počet záznamů: 1
Electroluminescence of silicon nanocrystals in p-i-n diode structures
- 1.0048817 - FZÚ 2007 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
Fojtík, A. - Valenta, J. - Stuchlíková, The-Ha - Stuchlík, Jiří - Pelant, Ivan - Kočka, Jan
Electroluminescence of silicon nanocrystals in p-i-n diode structures.
[Elektroluminiscence křemíkových nanokrystalů ve struktuře p-i-n diody.]
Thin Solid Films. Roč. 515, - (2006), s. 775-777. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
Grant CEP: GA MŠMT LC510; GA AV ČR IAA1010316
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: electroluminescence * silicon nanocrystals
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.666, rok: 2006
Electroluminescence is observed under forward bias exceeding 5 V and the spectrum consists of a broad band due to a large centred around 650 nm yellowish
Elektroluminiscence byla pozorována při napětí v propustném směru 5V a emisní spektrum se skládá ze širokého pásu u 650 nm
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0139361
Počet záznamů: 1