Controlled growth of porous networks in phosphide semiconductors

0094674 - ÚFE 2008 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Delimitis, A. - Komninou, Ph. - Kehagias, Th. - Pavlidou, E. - Karakostas, Th. - Gladkov, Petar - Nohavica, Dušan
Controlled growth of porous networks in phosphide semiconductors.
[Řízené vytváření sítě porů ve polovodivých fosfídech.]
Journal of Porous Materials. Roč. 15, č. 1 (2008), s. 75-81. ISSN 1380-2224. E-ISSN 1573-4854
Grant CEP: GA ČR(CZ) GA202/06/1315; GA MŠMT(CZ) ME 697
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: porous semiconductors * electrochmical analysis * transmission electron microscopy * scanning electron microscopy
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.959, rok: 2008

A well organized network of CLO pores was revealed on (100) plane of InP illustrating the effectiveness of the electrochemical dissolution technique. The applied current /voltage was found to be the crucial parameter that affects the pore size, geometry and propagation towards the bulk material. TEM revealed that CLO pore formation initiates by merging of the smaller CO pores in the nucleation layer. Monitoring of the direction of pores by carefully designed etching, producing thus alternating arrays of CLO and CO pores.

Vysoce samoorganizovaná síť CLO porů ilustrující efektivitu elektrochemického leptání byla vytvořena na (100) rovině InP. Aplikované napětí/proud má klíčový význam pro ladění rozměru, geometrie a směru šíření porů. TEM studium určilo v případě CLO porů jako nukleační mechanizmus splynutí menších CO porů. Monitorování směru porů v závislosti na parametrech leptání umožnilo vytvoření struktur se střídající se vrstvou CLO a různe orientovaných CO porů.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0154426