Growth and VUV luminescence of Tm doped BaY.sub.2./sub.F.sub.8./sub. single crystal

0338198 - FZÚ 2010 RIV IT eng A - Abstrakt
Yokota, Y. - Yanagida, T. - Yoshikawa, A. - Ishizu, S. - Kawaguchi, N. - Fukuda, K. - Nikl, Martin
Growth and VUV luminescence of Tm doped BaY₂F₈ single crystal.
[Příprava a VUV luminiscence Tm dopovaného monokrystalu BaY₂F₈]
ISLNOM-5 5th International Symposium on Laser, Scintillator and Non Linear Optical Materials. Conference Proceedings. Pisa: Plus - Pisa University Press, 2009 - (Tonelli, M.; Di Lieto, A.). s. 72-72. ISBN 978-88-8492-638-8.
[International Symposium on Laser, Scintillator and Non Linear Optical Materials /5./. 03.09.2009-05.09.2009, Pisa]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: BaY₂F₈ * Tm doping * μ-PD growth * optical and scintilation properties
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Tm 0.1% doped BaY2F8 single crystal was grown by the μ-PD method. Crystal growth was performed in high-purity mixed gas of CF4 and Ar. Small rectangular samples were cut from the grown crystal and polished for the measurements of optical and scintilation properties.

Monokrystal BaY2F8 dopovaný 0,1 % Tm byl připraven metodou μ-PD. Růst krystalu byl prováděn ve směsi plynů CF4 a Ar vysoké čistoty. Z monokrystalu byly odříznuty malé obdélníkové destičky, na kterých byly měřeny optické a luminiscenční vlastnosti.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0182038