Cl-based dry etching techniques on AlGaN/GaN HEMT structures are presented and discussed.
Dry-Etch gate recessing in AlGaN/GaN HEMTs / D., Buttari; Chini, Alessandro; S., Heikman; L., Mccarthy; A., Chakraborty; S., Keller; S. P., Denbaars; U. K., Mishra. - (2002). (Intervento presentato al convegno Solid State Technology Review tenutosi a University of California, Santa Barbara (CA), USA nel 18-20 November 2002).
Dry-Etch gate recessing in AlGaN/GaN HEMTs
CHINI, Alessandro;
2002
Abstract
Cl-based dry etching techniques on AlGaN/GaN HEMT structures are presented and discussed.
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