高電容比值之矽可變電容二極體

標題:	高電容比值之矽可變電容二極體 Hyper Abrupt Silicon Varactor Diodes
作者:	趙天生 TIEN-SHENGCHAO 交通大學電子物理系
公開日期:	2005
官方說明文件#:	NSC94-2622-E009-010-CC3
URI:	http://hdl.handle.net/11536/90156 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1084661&docId=204229
顯示於類別：	研究計畫