Surface structures and growth kinetics of InGaN(0001) grown by molecular beam 
epitaxy

Chen, H.; Feenstra, R. M.; Northrup, J.; Zywietz, Tosja K.; Neugebauer, Jörg; Greve, D. W.

doi:10.1116/1.1306296

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Surface structures and growth kinetics of InGaN(0001) grown by molecular beam epitaxy

MPG-Autoren

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Zywietz, Tosja K.
Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society;

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Neugebauer, Jörg
Theory, Fritz Haber Institute, Max Planck Society;

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Chen, H., Feenstra, R. M., Northrup, J., Zywietz, T. K., Neugebauer, J., & Greve, D. W. (2000). Surface structures and growth kinetics of InGaN(0001) grown by molecular beam epitaxy. Journal of Vacuum Science and Technology B, 18(4), 2284-2289. doi:10.1116/1.1306296.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0011-1B8B-3

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