On the Binary Compound YbGa5

Giedigkeit, R.; Niewa, R.; Schnelle, W.; Grin, Y.; Kniep, R.

doi:10.1002/1521-3749(200207)628:7<1692::AID-ZAAC1692>3.0.CO;2-Y

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Zeitschriftenartikel

On the Binary Compound YbGa₅

MPG-Autoren

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Giedigkeit, R.
Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society;

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Niewa, R.
Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society;

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Schnelle, W.
Walter Schnelle, Inorganic Chemistry, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society;

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Grin, Y.
Juri Grin, Chemical Metal Science, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society;

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Kniep, R.
Rüdiger Kniep, Inorganic Chemistry, Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Max Planck Society;

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Zitation

Giedigkeit, R., Niewa, R., Schnelle, W., Grin, Y., & Kniep, R. (2002). On the Binary Compound YbGa₅. Zeitschrift für Anorganische und Allgemeine Chemie, 628(7), 1692-1696. doi:10.1002/1521-3749(200207)628:7<1692:AID-ZAAC1692>3.0.CO;2-Y.

Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0015-3139-8

Zusammenfassung

YbGa5 was characterized in course of a re-investigation of the Yb-Ga system in the range between 0 and 20 at. % Yb. The compound can be described as a defect variant of the Ce2Ga10Ni structure type (space group 14/mmm, a = 430.59(4) pm, c = 2587.1(4) pm). The special feature of the crystal structure is given by local disorder within the gallium network. From magnetic susceptibility, ytterbium is in the valence state 2+.