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Transport properties of LaCu2Si2 and CeCu2Si2 between 1.5K and 300K

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Zitation

Franz, W., Grießel, A., Steglich, F., & Wohlleben, D. (1978). Transport properties of LaCu2Si2 and CeCu2Si2 between 1.5K and 300K. Zeitschrift für Physik B, 31(1), 7-17. doi:10.1007/BF01320122.


Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-BFD8-7
Zusammenfassung
We report measurements of the electrical resistivityρ, the thermal conductivityk and the thermoelectric powerS between 1.5K and 300K on the anomalous CeCu2Si2 compound and on LaCu2Si2 as reference compound. For LaCu2Si2 the temperature dependences ofρ andS are in accord with those found in otherd band metals. For CeCu2Si2 the observed resistivity (ρ≃220 µΩ cm at 200K) leads to a very short electronic mean free path which is of the order of the Ce-Ce spacing. Correspondingly,k is almost identical with the phonon contributionk p . Below 20K, resistivity and thermoelectric power strongly suggest Fermi liquid behavior with a “degeneracy temperature” between 20K and 40K. Above 200K, bothρ andS decrease proportionally to −ln(T/1 K).