Knowledge base: University of Silesia

Settings and your account

Back

Wpływ defektów punktowych na zmianę parametrów sieciowych monokryształów krzemu i wybranych tlenków metali stosowanych w optoelektronice

Jacek Kucytowski

Abstract

Kontrola obecności i sposoby regulacji różnych mikrodefektów, które wywołują lokalne zaburzenie w periodyczności sieci, jest niezwykle trudna zarówno z naukowego punktu widzenia jak i technologicznego. W kryształach zbliżonych do doskonałych nawet niewielkie ilości defektów punktowych lub ich klasterów wprowadzają efekty rozmiarowe, a także niejednorodności gęstości elektronowej. Tylko niektóre z metod dyfrakcyjnych są czułe na tak subtelne zmiany. Oprócz niezwykle skomplikowanej techniki interferometrii rentgenowskiej sprzężonej z interferometrem laserowym, tylko w przypadku metody Bonda - precyzyjnego pomiaru parametru sieciowego - można mówić o pomiarze bezwzględnym (absolutnym) zmian parametrów sieciowych. Metoda ta okazała się bardzo przydatną do badania odchyleń od stechiometrii i innych defektów strukturalnych wywołujących względne zmiany parametrów sieciowych rzędu hd/d = 10"6 (gdzie d - odległość międzypłaszczyznowa). Metoda Bonda jest metodą szybką, precyzyjną, ale równocześnie bardzo dokładną. Jej dokładność oparta jest na analizie, w oparciu o dynamiczną teorię rozpraszania, przesunięcia maksimum refleksu dyfrakcyjnego. Wymaga ona jednak niemal doskonałych monokryształów aby mogła być zastosowana. W związku z tym rodzi się wiele pytań dotyczących powiązania parametrów sieciowych monokryształów i defektów w nich występujących. Między innymi takie jak: w jaki sposób możliwe jest określenie różnic pomiędzy precyzją i dokładnością w tak subtelnych pomiarach, czym mogą być spowodowane niewielkie zmiany parametrów sieciowych, jak te zmiany zależą od rodzaju defektów i typu struktury badanych monokryształów. Celem pracy było zastosowanie metody Bonda do analizy subtelnych zmian parametrów sieciowych pod wpływem defektów w monokryształach stosowanych we współczesnej elektronice. Do badań wykorzystywano monokryształy o różnym stopniu zdefektowania poczynając od niemal idealnego bezdyslokacyjnego krzemu i krzemu domieszkowanego, a następnie skoncentrowano się na możliwościach identyfikowania defektów w typowych kryształach laserowych, takich jak niobian litu (LiNbCb) czysty i domieszkowany jonami ziem rzadkich, wanadian itrowy (YVC>4) - czysty i domieszkowany neodymem, oraz granaty itrowo gadolinowe (Y3AI5O12) domieszkowane iterbem.
Record ID
USL28d28de5ed544eb588b62fe8892d84ad
Diploma type
Doctor of Philosophy
Author
Title in Polish
Wpływ defektów punktowych na zmianę parametrów sieciowych monokryształów krzemu i wybranych tlenków metali stosowanych w optoelektronice
Language
pol (pl) Polish
Certifying Unit
Faculty of Computer Science and Materials Science (FCSM) [Not active]
Status
Finished
Year of creation
2008
Start date
15-02-2005
Supervisor
External reviewers
Tadeusz Piotr Pustelny Tadeusz Piotr Pustelny,, Author's external affiliation: Silesian University of Technology
Andrzej Misiuk Andrzej Misiuk,, Author's external affiliation: Łukasiewicz - Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki
Pages
121
License
Open licence other than CC
Handle.net URL
hdl.handle.net/20.500.12128/5156 Opening in a new tab
URL
https://integro.ciniba.edu.pl/integro/192805780852 Opening in a new tab
Keywords in Polish
optoelektronika; monokryształy; defekty strukturalne; defekty punktowe; Metoda Bonda
Abstract in Polish
Kontrola obecności i sposoby regulacji różnych mikrodefektów, które wywołują lokalne zaburzenie w periodyczności sieci, jest niezwykle trudna zarówno z naukowego punktu widzenia jak i technologicznego. W kryształach zbliżonych do doskonałych nawet niewielkie ilości defektów punktowych lub ich klasterów wprowadzają efekty rozmiarowe, a także niejednorodności gęstości elektronowej. Tylko niektóre z metod dyfrakcyjnych są czułe na tak subtelne zmiany. Oprócz niezwykle skomplikowanej techniki interferometrii rentgenowskiej sprzężonej z interferometrem laserowym, tylko w przypadku metody Bonda - precyzyjnego pomiaru parametru sieciowego - można mówić o pomiarze bezwzględnym (absolutnym) zmian parametrów sieciowych. Metoda ta okazała się bardzo przydatną do badania odchyleń od stechiometrii i innych defektów strukturalnych wywołujących względne zmiany parametrów sieciowych rzędu hd/d = 10"6 (gdzie d - odległość międzypłaszczyznowa). Metoda Bonda jest metodą szybką, precyzyjną, ale równocześnie bardzo dokładną. Jej dokładność oparta jest na analizie, w oparciu o dynamiczną teorię rozpraszania, przesunięcia maksimum refleksu dyfrakcyjnego. Wymaga ona jednak niemal doskonałych monokryształów aby mogła być zastosowana. W związku z tym rodzi się wiele pytań dotyczących powiązania parametrów sieciowych monokryształów i defektów w nich występujących. Między innymi takie jak: w jaki sposób możliwe jest określenie różnic pomiędzy precyzją i dokładnością w tak subtelnych pomiarach, czym mogą być spowodowane niewielkie zmiany parametrów sieciowych, jak te zmiany zależą od rodzaju defektów i typu struktury badanych monokryształów. Celem pracy było zastosowanie metody Bonda do analizy subtelnych zmian parametrów sieciowych pod wpływem defektów w monokryształach stosowanych we współczesnej elektronice. Do badań wykorzystywano monokryształy o różnym stopniu zdefektowania poczynając od niemal idealnego bezdyslokacyjnego krzemu i krzemu domieszkowanego, a następnie skoncentrowano się na możliwościach identyfikowania defektów w typowych kryształach laserowych, takich jak niobian litu (LiNbCb) czysty i domieszkowany jonami ziem rzadkich, wanadian itrowy (YVC>4) - czysty i domieszkowany neodymem, oraz granaty itrowo gadolinowe (Y3AI5O12) domieszkowane iterbem.
Thesis file
Request a WCAG compliant version

Uniform Resource Identifier
https://opus.us.edu.pl/info/phd/USL28d28de5ed544eb588b62fe8892d84ad/
URN
urn:uni-kat-prod:USL28d28de5ed544eb588b62fe8892d84ad

Confirmation
Are you sure?
Report incorrect data on this page
clipboard