Analyse physique de transistors à effet ...
Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Analyse physique de transistors à effet de champ pour applications hyperfréquences, à l'aide de modèles macroscopiques bidimensionnels
Auteur(s) :
Rousseau, Michel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Date de publication :
2007
Langue :
Français
Audience :
Non spécifiée
Source :