Gold nanoparticle-pentacene memory-transistors
Type de document :
Pré-publication ou Document de travail
Titre :
Gold nanoparticle-pentacene memory-transistors
Auteur(s) :
Novembre, Christophe [Auteur]
Laboratoire Calculateurs Embarqués et Image [LCEI]
Guérin, David [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lmimouni, Kamal [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gamrat, Christian [Auteur]
Laboratoire Calculateurs Embarqués et Image [LCEI]
Vuillaume, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Laboratoire Calculateurs Embarqués et Image [LCEI]
Guérin, David [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lmimouni, Kamal [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gamrat, Christian [Auteur]
Laboratoire Calculateurs Embarqués et Image [LCEI]
Vuillaume, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Résumé en anglais : [en]
We demonstrate an organic memory-transistor device based on a pentacene-gold nanoparticles active layer. Gold (Au) nanoparticles are immobilized on the gate dielectric (silicon dioxide) of a pentacene transistor by an ...
Lire la suite >We demonstrate an organic memory-transistor device based on a pentacene-gold nanoparticles active layer. Gold (Au) nanoparticles are immobilized on the gate dielectric (silicon dioxide) of a pentacene transistor by an amino-terminated self-assembled monolayer. Under the application of writing and erasing pulses on the gate, large threshold voltage shift (22 V) and on/off drain current ratio of ~3E4 are obtained. The hole field-effect mobility of the transistor is similar in the on and off states (less than a factor 2). Charge retention times up to 4500 s are observed. The memory effect is mainly attributed to the Au nanoparticles.Lire moins >
Lire la suite >We demonstrate an organic memory-transistor device based on a pentacene-gold nanoparticles active layer. Gold (Au) nanoparticles are immobilized on the gate dielectric (silicon dioxide) of a pentacene transistor by an amino-terminated self-assembled monolayer. Under the application of writing and erasing pulses on the gate, large threshold voltage shift (22 V) and on/off drain current ratio of ~3E4 are obtained. The hole field-effect mobility of the transistor is similar in the on and off states (less than a factor 2). Charge retention times up to 4500 s are observed. The memory effect is mainly attributed to the Au nanoparticles.Lire moins >
Langue :
Anglais
Source :
Fichiers
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00257396/document
- Accès libre
- Accéder au document
- http://arxiv.org/pdf/0802.2633
- Accès libre
- Accéder au document
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00257396/document
- Accès libre
- Accéder au document
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00257396/file/Au_NP_pentacene_memory_transistor-APL.pdf
- Accès libre
- Accéder au document
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00257396/document
- Accès libre
- Accéder au document
- document
- Accès libre
- Accéder au document
- Au_NP_pentacene_memory_transistor-APL.pdf
- Accès libre
- Accéder au document
- 0802.2633
- Accès libre
- Accéder au document