Noise modelling of 0.25 µm fully depleted ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Noise modelling of 0.25 µm fully depleted SOI MOSFETs
Auteur(s) :
Pailloncy, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Danneville, François [Auteur]
Iniguez, B. [Auteur]
Raskin, J.P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Danneville, François [Auteur]
Iniguez, B. [Auteur]
Raskin, J.P. [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2003
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 17th International Conference on Noise and Fluctuations, INCF 2003
Éditeur :
Czech Noise Research Laboratory, Brno University of Technology, Czech Republic
Date de publication :
2003
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :