Growth of strained GaSub 1-xIn Sub x players ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Growth of strained GaSub 1-xIn Sub x players on GaP (001) by gas source molecular beam epitaxy similarities and differences with the growth of strained arsenides
Auteur(s) :
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mollot, F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mollot, F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Journal of Crystal Growth
Pagination :
255
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2001
ISSN :
0022-0248
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :