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Physical analysis of the high-temperature subthreshold slope in SOI MOSFETs
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Document type | Communication à un colloque (Conference Paper) – Présentation orale avec comité de sélection |
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Publication date | 2000 |
Language | Anglais |
Conference | "2000 IEEE International SOI Conference", Wakefield, MA (USA) (du 02/10/2000 au 05/10/2000) |
Peer reviewed | yes |
Host document | "Proceedings of the 2000 IEEE International SOI Conference"- 30-32 (ISBN : 0-7803-6389-2) |
Publisher | IEEE |
Affiliations |
Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics (ISP), Kyiv UCL - FSA/ELEC - Département d'électricité |
Keywords | SOI ; SOI MOSFETs |
Links |
Bibliographic reference | Rudenko, Tamara ; Kilchytska, Valeriya ; Colinge, Jean-Pierre ; Flandre, Denis. Physical analysis of the high-temperature subthreshold slope in SOI MOSFETs.2000 IEEE International SOI Conference (Wakefield, MA (USA), du 02/10/2000 au 05/10/2000). In: Proceedings of the 2000 IEEE International SOI Conference, IEEE2000, p.30-32 |
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Permanent URL | http://hdl.handle.net/2078.1/95384 |