Measurement of on-wafer transistor noise parameters without a tuner using unrestricted noise sources
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/1181
Tipus de documentArticle
Data publicació2002-03-31
EditorHORIZON HOUSE PUBLICATIONS INC
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
The authors present a method for calibrating the four noise parameters of a noise receiver which does not require a tuner The method permits using general (mismatched) noise sources, which may present very different source reflection coefficients between their hot and cold states. The method is applied to the calibration of a noise set-up using on-wafer noise sources (a reverse-biased cold-FET and an avalanche noise diode). Experimental validation of the receiver calibration and its application to the determination Of on-wafer FET noise parameters to 40 GHz is presented.
CitacióLázaro, A.; Maya, M. C.; Pradell, L. Measurement of on-wafer transistor noise parameters without a tuner using unrestricted noise sources. Microwave journal, 2002, vol. 45, núm. 3, p.20-46.
ISSN0192-6225
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Microwave Journal - March 2002.pdf | 387,9Kb | Visualitza/Obre |