Microcrystalline silicon thin film transistors obtained by hot-wire CVD
Visualitza/Obre
1-s2.0-S0921510799002524-main.pdf (108,0Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
10.1016/S0921-5107(99)00252-4
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/130748
Tipus de documentArticle
Data publicació1999-12
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Polysilicon thin film transistors (TFT) are of great interest in the field of large area microelectronics, especially because of their application as active elements in flat panel displays. Different deposition techniques are in tough competition with the objective to obtain device-quality polysilicon thin films at low temperature. In this paper we present the preliminary results obtained with the fabrication of TFT deposited by hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD). Some results concerned with the structural characterization of the material and electrical performance of the device are presented.
CitacióPuigdollers, J. [et al.]. Microcrystalline silicon thin film transistors obtained by hot-wire CVD. "Materials science and engineering B. Solid state materials for advanced tech", Desembre 1999, vol. 69-70, p. 526-529.
ISSN0921-5107
Versió de l'editorhttps://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510799002524
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
1-s2.0-S0921510799002524-main.pdf | 108,0Kb | Accés restringit |