Fixed charge density in dielectrics deposited on c-Si using space charge region dominated lifetime measurements
Visualitza/Obre
Martin.pdf (622,3Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/2445
Tipus de documentArticle
Data publicació2007-06-29
EditorAmerican Institute of Physics
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Depletion region modulation (DRM) effect is often observed in photoconductance lifetime
measurements of crystalline silicon wafers passivated by dielectric films. This effect is closely
related to the space-charge region electrostatically induced by fixed charges within the dielectric.
This study proposes a model for dielectric-passivated c-Si wafers, which includes the DRM effect,
to simulate and fit the effective lifetime vs excess minority carrier density curves obtained by
quasisteady-state photoconductance techniques. The validity of the model is checked by applying it
to different experimental samples, taking particular care of the mobility values of the surface
carriers. It is, thus, demonstrated that the fixed charge within the dielectric film can be determined
with improved accuracy and increased reliability if the DRM effect is included into the model.
CitacióGarín, M.; Mrtín, I.; Bermejo, S.; Alcubilla, R. Fixed charge density in dielectrics deposited on c-Si using space charge region dominated lifetime measurements. A: Journal of Applied Phyics, 2007, vol. 101, 123716.
ISSN0021-8979
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Martin.pdf | 622,3Kb | Accés restringit |