Deep-level Transient Spectroscopy Measurements of majority carrier Traps in neutron-irradiated n-type silicon detectors / E. Borchi; C. Bertrand; C. Leroy; M. Bruzzi; C. Furetta; R. Paludetto; P.G.Rancoita; L.Vismara; P. Giubellino. - In: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. - ISSN 0168-9002. - STAMPA. - 279:(1989), pp. 277-280.

Deep-level Transient Spectroscopy Measurements of majority carrier Traps in neutron-irradiated n-type silicon detectors

BORCHI, EMILIO;BRUZZI, MARA;
1989
1989
279
277
280
E. Borchi; C. Bertrand; C. Leroy; M. Bruzzi; C. Furetta; R. Paludetto; P.G.Rancoita; L.Vismara; P. Giubellino
1a - Articolo su rivista
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