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タイトル: Epitaxial Growth of Wide Bandgap Compound Semiconductors for Laser Diodes
その他のタイトル: 半導体レーザ用ワイドバンドギャップ化合物半導体のエピタキシャル成長
著者: Tsujimura, Ayumu
著者名の別形: 辻村, 歩
キーワード: ZnSe
GaN
laser diode
MBE
MOVPE
epitaxial growth
発行日: 24-Sep-2012
出版者: 京都大学 (Kyoto University)
学位授与大学: 京都大学
学位の種類: 新制・論文博士
取得分野: 博士(工学)
報告番号: 乙第12695号
学位記番号: 論工博第4084号
学位授与年月日: 2012-09-24
請求記号: 新制||工||1555(附属図書館)
整理番号: 29947
論文調査委員: (主査)教授 平尾 一之, 教授 田中 勝久, 教授 三浦 清貴
学位授与の要件: 学位規則第4条第2項該当
DOI: 10.14989/doctor.r12695
URI: http://hdl.handle.net/2433/161023
出現コレクション:090 博士(工学)

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