ダウンロード数: 867

このアイテムのファイル:
ファイル 記述 サイズフォーマット 
ykogk03766.pdfAbstract_要旨166.56 kBAdobe PDF見る/開く
dkogk03766.pdfDissertation_全文8.46 MBAdobe PDF見る/開く
タイトル: Atomic-Scale Analysis of Plasma-Surface Interactions and Formation Mechanisms of Profile Anomalies and Surface Roughness during Plasma Etching of Silicon
その他のタイトル: シリコンエッチングにおけるプラズマ・表面相互作用と形状異常および表面ラフネス形成機構の原子スケール解析
著者: Tsuda, Hirotaka
著者名の別形: 津田, 博隆
キーワード: 形状進展シミュレーション
セルリムーバル法
分子動力学法
形状異常
表面ラフネス
リップル構造
発行日: 23-May-2013
出版者: 京都大学 (Kyoto University)
学位授与大学: 京都大学
学位の種類: 新制・課程博士
取得分野: 博士(工学)
報告番号: 甲第17787号
学位記番号: 工博第3766号
学位授与年月日: 2013-05-23
請求記号: 新制||工||1576(附属図書館)
整理番号: 30594
研究科・専攻: 京都大学大学院工学研究科航空宇宙工学専攻
論文調査委員: (主査)教授 斧 髙一, 教授 稲室 隆二, 教授 青木 一生
学位授与の要件: 学位規則第4条第1項該当
DOI: 10.14989/doctor.k17787
URI: http://hdl.handle.net/2433/179356
出現コレクション:090 博士(工学)

アイテムの詳細レコードを表示する

Export to RefWorks


出力フォーマット 


このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。