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タイトル: (111)-Oriented Zn3N2 growth on a-plane sapphire substrates by molecular beam epitaxy
著者: Oshima, T
Fujita, S  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0001-6384-6693 (unconfirmed)
キーワード: zinc nitride
Zn3N2
nitride thin films
molecular beam epitaxy
a-plane sapphire
heteroepitaxy
発行日: 2006
出版者: INST PURE APPLIED PHYSICS
誌名: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
巻: 45
号: 11
開始ページ: 8653
終了ページ: 8655
URI: http://hdl.handle.net/2433/35843
DOI(出版社版): 10.1143/JJAP.45.8653
リンク: Web of Science
出現コレクション:英文論文データベース

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