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| タイトル: | Formation and control of stoichiometric hafnium nitride thin films by direct sputtering of hafnium nitride target |
| 著者: | Gotoh, Y   Liao, MY Tsuji, H Ishikawa, J |
| キーワード: | hafnium nitride compound target sputtering stoichiometry orientation stress electrical resistivity nitrogen composition |
| 発行日: | 2003 |
| 出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
| 誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS |
| 巻: | 42 |
| 号: | 7A |
| 開始ページ: | L778 |
| 終了ページ: | L780 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/3679 |
| DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.42.L778 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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