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タイトル: Energetics of native defects in ZnO
著者: Oba, Fumiyasu  KAKEN_id
Nishitani, shigeto R
Isotani, Seiji
Adachi, Hirohiko
Tanaka, Isao  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-4616-118X (unconfirmed)
発行日: 15-Jul-2001
出版者: American Institute of Physics
誌名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
巻: 90
号: 2
開始ページ: 824
終了ページ: 828
抄録: We have investigated the formation energies and electronic structure of native defects in ZnO by a first-principles plane-wave pseudopotential method. When p-type conditions are assumed, the formation energies of donor-type defects can be quite low. The effect of self-compensation by the donor-type defects should be significant in p-type doping. Under n-type conditions, the oxygen vacancy exhibits the lowest formation energy among the donor-type defects. The electronic structure, however, implies that only the zincinterstitial or the zinc antisite can explain the n-type conductivity of undoped ZnO.
著作権等: Copyright 2001 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.
URI: http://hdl.handle.net/2433/39701
DOI(出版社版): 10.1063/1.1380994
出現コレクション:学術雑誌掲載論文等

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