ダウンロード数: 0
このアイテムのファイル:
このアイテムに関連するファイルはありません。
| タイトル: | Nitrogen profile in SiOxNy prepared by thermal nitridation of ozone oxide |
| 著者: | Nakajima, K    https://orcid.org/0000-0002-5390-1262 (unconfirmed)Kimura, K Kurokawa, A Ichimura, S Fukuda, H |
| キーワード: | silicon oxynitride high-resolution RBS ozone oxidation interface strain |
| 発行日: | 2001 |
| 出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
| 誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS |
| 巻: | 40 |
| 号: | 6A |
| 開始ページ: | 4011 |
| 終了ページ: | 4012 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/6119 |
| DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.40.4011 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。