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| タイトル: | N2O-grown oxides/4H-SiC (0001), (0338), and (1120) interface properties characterized by using p-type gate-controlled diodes |
| 著者: | Noborio, Masato Suda, Jun Kimoto, Tsunenobu    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) |
| キーワード: | interface states minority carriers MOSFET oxidation semiconductor diodes semiconductor-insulator boundaries silicon compounds wide band gap semiconductors |
| 発行日: | 2008 |
| 出版者: | AMER INST PHYSICS |
| 誌名: | APPLIED PHYSICS LETTERS |
| 巻: | 93 |
| 号: | 19 |
| 論文番号: | 193510 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/78602 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.3028016 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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