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| タイトル: | 4H-and 6H-SiC MOSFETs fabricated on sloped sidewalls formed by molten KOH etching |
| 著者: | Wahab, Q Kosugi, H Yano, H Hallin, C Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| キーワード: | anisotropy channel mobility KOH etching MOSFETs |
| 発行日: | 2002 |
| 出版者: | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD |
| 誌名: | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS |
| 巻: | 389-3 |
| 開始ページ: | 1215 |
| 終了ページ: | 1218 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8905 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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