Technologie výroby nelineárních fázových masek

0575662 - ÚPT 2024 RIV CZ cze Z - Poloprovoz, ověřená technologie, odrůda/plemeno
Krátký, Stanislav - Kolařík, Vladimír - Fořt, Tomáš - Mikel, Břetislav - Helán, R. - Urban, F.
Technologie výroby nelineárních fázových masek.
[The manufacturing process of apodized phase masks.]
Interní kód: APL-2023-03 ; 2023
Technické parametry: Technologie pro výrobu nelineárních fázových masek pro vlnovou délku dopadajícího světla 248 nm pomocí elektronové litografie a reaktivního iontového leptání do materiálu fused silica. Přesnost zápisu periody mřížky je 0,1 nm, přesnost naladění hloubky mřížky je ±5 nm.
Ekonomické parametry: Ověřená technologie realizovaná při řešení grantu s předpokladem smluvního využití s ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Ing. Stanislav Krátký, Ph.D., kratky@isibrno.cz.
Grant CEP: GA TA ČR(CZ) FW01010379
Institucionální podpora: RVO:68081731
Klíčová slova: apodized phase mask * e-beam lithography * reactive ion etching
Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)

Technologie přípravy fázových nelineárních masek je založena na kombinaci elektronové litografie a reaktivního iontového leptání. Jako substrát je použit materiál fused silica o tloušťce 2,286 mm. Maska, přes kterou se leptá skleněný substrát, je molybdenová vrstva o tloušťce 50 nm připravená magnetronovým naprašováním. Na kovovou masku je do rezistu PMMA o tloušťce 120 nm zapsán motiv mřížky elektronovou litografií se změnou periody 0,1 nm. Přes rezistovou masku se leptá reaktivním iontovým leptáním směsí plynu SF6 a Ar molybdenová maska, přes kterou se leptá skleněný substrát směsí plynů CHF3 a CF4. Přesnost naladění hloubky je ±5 nm.

The manufacturing process of apodized phase mask is based on combination e-beam lithography and reactive ion etching. Fused silica with a thickness of 2,286 mm is used as a substrate. Magnetron sputtered molybdenum layer with a thickness of 50 nm is used as a hard mask for etching the glass substrate. The pattern of the grating is exposed by e-beam writer into the layer of PMMA resist witch thickness of 120 nm. The amallest step of the pitch can be up to 0,1 nm. The etching of molybdenum mask is carried out with reactive ion etching system witch use of gas mixture of SF6 and Ar. The glass substrate is etched by the same system with use of gas mixture of CHF3 and CF4. The precision of the grating depth is ±5 nm.
Trvalý link: https://hdl.handle.net/11104/0345419