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Blocking Growth by an Electrically Active Subsurface Layer: The Effect of Si as an Antisurfactant in the Growth of GaN

MPG-Autoren
/persons/resource/persons125262

Lymperakis,  Liverios
Microstructure, Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

/persons/resource/persons125293

Neugebauer,  Jörg
Computational Materials Design, Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max Planck Society;

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Zitation

Markurt, T., Lymperakis, L., Neugebauer, J., Drechsel, P., Stauß, P., Schulz, T., et al. (2013). Blocking Growth by an Electrically Active Subsurface Layer: The Effect of Si as an Antisurfactant in the Growth of GaN. Physical Review Letters, 110(3): 036103. doi:10.1103/PhysRevLett.110.036103.


Zitierlink: https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0019-2536-4
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