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Se emplea el método isotérmico de epitaxia en fase vapor para la obtención de capas Hg₁₋ₓ₋yCdₓMnyTe con un gradiente de composición, sobre sustratos de Cd₁₋ₓMnₓ Te. En esta técnica, la composición superficial y las características electrónicas (tipo de conductividad y movilidad de los portadores) pueden ser controladas ajustando las temperaturas del sustrato y la fuente por un lado y la del Hg por otro. Los crecimientos fueron caracterizados por rayos X (método de Laue), microscopía electrónica de barrido y microsonda electrónica, técnicas de "etching" y efecto Halkl. Los mismos presentan características adecuadas para su posterior aplicación en la fabricación de detectores de IR de tipo fotovoltaico

Registro:

Título:Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor
Autor:Cánepa, Horacio Ricardo; Heredia, Eduardo Armando; Nöllmann, I.
Fecha:1989
Título revista:Anales AFA
Editor:Asociación Física Argentina
Handle: http://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p269
Ciudad:Villa Martelli, Buenos Aires
Idioma:Español
Año:1989
Volumen:01
Número:01
Título revista abreviado:An. (Asoc. Fís. Argent., En línea)
ISSN:1850-1168
Formato:PDF
PDF:https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/download/afa/afa_v01_n01_p269.pdf
Registro:https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v01_n01_p269

Citas:

---------- APA ----------
Cánepa, Horacio Ricardo, Heredia, Eduardo Armando & Nöllmann, I.(1989). Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor. Anales AFA, 01(01), 269-271.
---------- CHICAGO ----------
Cánepa, Horacio Ricardo, Heredia, Eduardo Armando, Nöllmann, I.. "Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor" . Anales AFA 01, no. 01 (1989): 269-271.
---------- MLA ----------
Cánepa, Horacio Ricardo, Heredia, Eduardo Armando, Nöllmann, I.. "Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor" . Anales AFA, vol. 01, no. 01, 1989, pp. 269-271.
---------- VANCOUVER ----------
Cánepa, Horacio Ricardo, Heredia, Eduardo Armando, Nöllmann, I.. Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor. An. (Asoc. Fís. Argent., En línea). 1989;01(01): 269-271 . Available from: https://bibliotecadigital.exactas.uba.ar/collection/afa/document/afa_v01_n01_p269