Determinação de impurezas em silicio por espectroscopia de absorção atomica
Adriana Franco Bueno Braga
DISSERTAÇÃO
Português
(Broch.)
T/UNICAMP B73d
Campinas, SP : [s.n.], 1993.
64f. : il.
(Publicação FEM)
Orientador: Roberto de Toledo Assumpção
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica
Resumo: o Brasil possui uma posição de destaque como segundo maior produtor mundial de silício. Este material tem emprego em setores industriais variados, como, o metalúrgico (na produção de ligas de aço e de aluminio), a produção de organosilanos e uma pequena fração representada pela indústria...
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Resumo: o Brasil possui uma posição de destaque como segundo maior produtor mundial de silício. Este material tem emprego em setores industriais variados, como, o metalúrgico (na produção de ligas de aço e de aluminio), a produção de organosilanos e uma pequena fração representada pela indústria microeletrônica. Este último segmento, apesar de ser o menor, apresenta um caráter importante, devido ao crescimento tecnológico nesta àrea na última década e do, conseqüente, capital envolvido. A eficiência de um dispositivo, produzido pela indústria microletrônica, està associada à concentração de impurezas. Dessa forma o controle da presença de elementos quimicos em concentrações definidas é muito importante. O trabalho propõe a técnica de Espectroscopia de Absorção Atômica como uma alternativa viável de anàlise quimica. Um estudo da preparação da amostra bem como uma avaliação dos fenômenos de interferência no método de análise empregado, são mostrados através da determinação em chama de Alumínio, Ferro, Titânio, Manganês, Cálcio e Cromo
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Abstract: Metallurgical-grade silicon is used in the manufacture of a wide range industry fields (metalurgical steel and aluminium alloys, organosilicon industry and microelectronics). Special problems exist in the analysis of material used in microelectronics (raw material and final product) ....
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Abstract: Metallurgical-grade silicon is used in the manufacture of a wide range industry fields (metalurgical steel and aluminium alloys, organosilicon industry and microelectronics). Special problems exist in the analysis of material used in microelectronics (raw material and final product) . Analytical methods with very good absolute detection limits are needed to qnalytical problems occurring in the analysis. Atomic Absorption Spectroscopy (AAS) has been used in the last ten years in silicon analisys. The present work reports atomic absorption methods developed for the determination of AI, Fe, Ti, Mn, Ca, and Cr impurities in metalurgical- grade silicon. An study of sample preparation, and interfering phenomenon in analisys analisys. method, are present in flame analysis
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Determinação de impurezas em silicio por espectroscopia de absorção atomica
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