Anisotropia óptica em poços quânticos de InGaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs com orientação [113]
Alessandra Abdala Ribeiro
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP R354a
Campinas, SP : [s.n.], 1997.
68f. : il.
Orientador: Fernando Cerdeira
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Resumo: Crescimento de poços quânticos em substratos com orientação ao longo de direções não simétricas [11N], N ¹ 1, é às vezes usado na fabricação de fios quânticos. A anisotropia nas propriedades ópticas (refletividade, absorção, fotoluminescência, etc) para luz polarizada ao longo e...
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Resumo: Crescimento de poços quânticos em substratos com orientação ao longo de direções não simétricas [11N], N ¹ 1, é às vezes usado na fabricação de fios quânticos. A anisotropia nas propriedades ópticas (refletividade, absorção, fotoluminescência, etc) para luz polarizada ao longo e perpendicular ao fio quântico foi proposta como um indicador quantitativo do grau de confinamento lateral nessas estruturas. Aqui nós estudamos a refletividade modulada de poços quânticos de In0.2Ga0.8As crescidos por MBE em substratos [113] de GaAs. Fortes anisotropias são encontradas, apesar da ausência de corrugação ou da formação de fios quânticos em nossas amostras. O grau de anisotropia é fortemente dependente da largura dos poços 2D. Analisando nossos resultados sob o ponto de vista de estudos teóricos já existentes, concluímos que a formação de fios quânticos não é necessária para a aparição de anisotropia óptica e, como conseqüência, essa anisotropia óptica não pode ser usada como um indicador de confinamento lateral, a menos que o eixo de crescimento seja escolhido ao longo de uma direção de simetria, como por exemplo [001] ou [111]
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Abstract: Growth of Quantum Wells on substrates with non-symmetric orientations [11N], N ¹ 1, is sometimes used in the fabrication of quantum wires. The anisotropy in the optical properties (Reflectivity, absorption, photoluminescence, etc) for light polarized along or perpendicular to the quantum...
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Abstract: Growth of Quantum Wells on substrates with non-symmetric orientations [11N], N ¹ 1, is sometimes used in the fabrication of quantum wires. The anisotropy in the optical properties (Reflectivity, absorption, photoluminescence, etc) for light polarized along or perpendicular to the quantum wire has been proposed as a quantitative indicator of the degree of lateral confinement in these structures. Here we study the modulated reflectivity of non-corrugated In0.2Ga0.8As quantum wells grown by MBE on [113] GaAs substrates. Strong anisotropy¿s are found, in spite of the absence of corrugation or quantum wire formation in our samples. The degree of this anisotropy is strongly dependent on the width of the 2D quantum wells. Analyzing our results in the light of previously existing theoretical studies we conclude that the formation of quantum wires is not necessary for the appearance of these optical anisotropy¿s and, consequently, that this anisotropy cannot be used as an indicator of lateral confinement, unless the growth axis is chosen along a symmetry direction such as [001] or [111]
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Anisotropia óptica em poços quânticos de InGaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs com orientação [113]
Alessandra Abdala Ribeiro
Anisotropia óptica em poços quânticos de InGaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs com orientação [113]
Alessandra Abdala Ribeiro
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