Efeitos de pressão uniaxial em lasers de GaAs
Iraja Newton Bandeira
DISSERTAÇÃO
Português
T/UNICAMP B191e
Campinas, SP : [s.n.], 1974.
73 f. : il.
Orientadores: Jose Ellis Ripper Filho, Navin Bhailalbhai Patel
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Resumo: O presente trabalho é um estudo da varição da frequência de emissão espontanea e estimulada e da va riação da corrente limiar, em lasers de Arseneto de Gálio a 77 K, quando da aplicação de pressão uniaxial perpendicular à junção. Teoricamente nos baseamos num modelo em que a existencia de...
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Resumo: O presente trabalho é um estudo da varição da frequência de emissão espontanea e estimulada e da va riação da corrente limiar, em lasers de Arseneto de Gálio a 77 K, quando da aplicação de pressão uniaxial perpendicular à junção. Teoricamente nos baseamos num modelo em que a existencia de uma faixa de níveis aceitadores pouco profundos em relação à banda de valência, e a concentração de portadores injetedos na banda de condução afetam os resultados obtidos pela teoria que considera transições do tipo banda-nível aceitador. Foram calculadas as separações das banda de energia degeneradas em k= 0 da banda de valência e como esta separação influi na variação do índice de refração e no ganho dos lasers de GaAs. Comparou-se, então, os resultados de nossas medidas com os previstos pela teoria
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Abstract: Not informed
Efeitos de pressão uniaxial em lasers de GaAs
Iraja Newton Bandeira
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